ثابت دی الکتریک سیلیکون نیترید manufacturer Grasping strong production capability, advanced research strength and excellent service, Shanghai ثابت دی الکتریک سیلیکون نیترید supplier create the value and bring values to all of customers.
WhatsApp)
با استفاده ار ترکیبات زیر می توان ثابت دی الکتریک دی الکتریک استفاده شده بین سیم ها را کاهش داد تا تاخیر سیم، مصرف توان و نویز را کاهش داد: siof. با ثابت دب الکتریک sicoh. با ثابت دی الکتریک . ibm
*** این فایل شامل تعدادی فرمول می باشد و در سایت قابل نمایش نیست *** کاهش جريان نشتي در
محققان موسسه مهندسی زیستی کاتالونیا و دانشگاه بارسلونا روشی آسان برای اندازهگیری ثابت دیالکتریک فیلمهای نازک در مقیاس نانو توسعه دادهاند. برای اجرای این روش که مبتنی بر میکروسکوپی نیروی الکتروستاتیک است، هر
آب به دلیل ث ابت دیالکتریک بالا و همچنین داشتن قطبیت ترکیبات یونی را در خود حل میکند. ثابت دیالکتریک بالای آب باعث کاهش نیروی جاذبه میان یونها میشود. در نتیجه احتمال ترکیب مجدد آنها و خارج شدن به صورت رسوب را کم می
نانواکسی نیترید سیلیکون به عنوان یک گیت دی الکتریک مناسب در ترانزیستورهای cmos. در سال های اخیر ضخامت گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون در تکنولوژی مکمل فلز اکسید نیمه رسانا (cmos)، به کم تر از 2
سیلیکون نیترید (به انگلیسی: Silicon nitride) با فرمول شیمیایی Si ۳ N ۴ یک ترکیب شیمیایی با شناسه پابکم ۳۰۸۴۰۹۹ است.. در سال 1994 یک مقاله را در مورد سرامیک Si 3 N 4 که بر اساس بررسیهای اینترنتی از سالهای 1967 1992، که توسط مؤسسه Gmelin
خمیر سیلیکون deep cool z9 ، محصولی از کمپانی دیپ کول ، مناسب برای افزایش راندمان خنک کننه های پردازنده ، بهترین قیمت در فروشگاه اینترنتی تک یک ثابت دی الکتریک a
پرتو یون های هلیوم ناشی از انتشار الکترونی از فیلم های سیلیکون نیترید عایق تحت شرایط شارژ ساختن ثابت دی الکتریک بالا از پلیمرهای دو قطبی ثابت دی الکتریک با استفاده از مهندسی نانوساختار
سیلیکون, الیاف کربنی, نانو تیوپ های کربنی, SiO2, سیلیکون ـ ژرمانیوم, تنگستن, کربید سیلیکون (SiC), نیترید سیلیکون, اکسی نیترید سیلیکون, نیترید تیتانیوم و دی الکتریک های دارای ثابت دی الکتریک
خواص دی الکتریک نمونه بهینه ی کامپوزیت سه تایی کوردیریت نیترید آلومینیوم آلومینا اندازه گیری شد که ثابت دی الکتریک و اتلاف دی الکتریک برای نمونه ی بهینه به دست آمد.
The effect of boron oxide on the physical and mechanical properties of nanostructured boron nitride by spark plasma sintering Highlights•Preparation of hexagonal boron nitride by spark plasma sintering at 1600 °C with, and 3 wt%B2O3as an additive.•Promoting of sample features by increasing the additive.•The highest density and the best properties were obtained at 1600 °C with 3
· سیلیکون نیترید: 7–8 (polycrystalline, 1 به کار رفته برای گذردهی نسبی در بسامد صفر، میتوان به ثابت دیالکتریک نسبی یا ثابت دیالکتریک ایستا (استاتیک) اشاره کرد.
خواص دیالکتریک و هدایت گرمایی (tc)اساسا تحتتاثیر تخلخل قرار گرفتهاند. Porous BN / Si ۲ O ۲ O ۲ O و ۲۵ mol % Li هر دو ثابت دیالکتریک پایین (۳.۸۳)و تانژانت تلفات دیالکتریک (۰.۰۰۸)را با عملکرد مکانیکی و
رشد کوچک شدگی سریع ضخامت گیت دی الکتریک باعث شده است تا اکسید سیلیکون فوق نازک را نتوان به عنوان گیت دی الکتریک مناسب در ترانزیستور های آتیcmosدانست از
پارچه سیلیکونی در ۲ نوع : پارچه دو رو سیلیکون و یک رو سیلیکون عایق الکتریکی خوب، ثابت دی الکتریک ۳ ~ ۳٫۲، ولتاژ بین ۲۰ تا ۵۰KV / mm را از بین می برد. قدرت بالا، نرم و انعطاف پذیر.
نانواکسی نیترید سیلیکون به عنوان یک گیت دیالکتریک مناسب در ترانزیستورهای cmos استاد راهنما: علی بهاری ، استاد مشاور: نورالدین میرنیا ، دانشجو: ملیحه رجبلو ،
کیفیت بالا پین محل جوش سرامیکی برای جوش پروجکشن پین سیتیون سیلیکون نیتروژن Si3N4 از چین, پیشرو چین است custom ceramic pins تولید محصول, با کنترل کیفیت دقیق ceramic dowel pins کارخانه, تولید با کیفیت بالا ceramic dowel pins محصولات.
نیترید آلومینیوم ، جزو ترکیبات شبکهای میباشد. ذرات تشکیل دهنده شبکه با پیوند کووالانسی با یکدیگر متصل هستند. سختی این ماده ، بالا میباشد، ذوب نمیشود و در دماهای بالاتر از 2500 درجه در فشار جو تفکیک میشود.
در سال های اخیر، مواد با ثابت دی الکتریک بالا در حوزه های کاربردی به ویژه در میسفت ها به کار آمده اند، که این به ویژگی های منحصر به فرد این گونه فیلم ها بر می گردد که اکسید سیلیکون فرانازک آن ها
تلاش هـایی گـسترده ای صـورت گرفته است تا بررسی کند که آیا می توان اکسید سیلیکون را به عنوان یک گیت دی الکتریک مناسب ترانزیستورهای بکار گرفت یا خیر؟ [٣].
دانلود مقالات isi انگلیسی درباره ثابت دی الکتریک با ترجمه فارسی مقالات الزویر ساینس دایرکت Science Direct
ثابت دی الکتریک پایین. بار بالا تحمل خواص غیر خیس کردن: HBN است لیوان، نمک و (بیشتر) فلزات مرطوب نیست، بنابراین آن را فراهم مقاومت قوی برای حمله شیمیایی آسان Machineability (در حالت فشرده گرم).
نیترید گالیم (به انگلیسی: Gallium nitride) با فرمول شیمیایی GaN یک ترکیب شیمیایی با شناسه پابکم ۱۱۷۵۵۹ است؛ که جرم مولی آن g/mol میباشد. شکل ظاهری این ترکیب، پودر زرد است. گالیوم نیترید (GaN) یک ترکیب دوتایی نیمه هادی گروه IIIV با
WhatsApp)
Online Chat
Sales Hotline